Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Авторы: Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А.
Издательство: Национальный исследовательский Томский государственный университет
ISBN 978-5-94621-556-5; 2016 г.
Кол-во страниц: 258
Предварительный просмотр:
О книге:
Монография является обобщением результатов обширных исследований структур и приборов на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами, проводимых в Томском государственном университете, Сибирском физико-техническом институте и Научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов. Изложены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr, Mn и описаны его свойства. Большое внимание уделено анализу электронных процессов в сложных структурах на основе этого материала. Приведены характеристики целого ряда разработанных приборов: переключающих лавинных S-диодов, фотоприёмников УФ- и ИК-диапазонов, детекторов ионизирующих излучений, генераторов прямоугольных и мощных дельта-импульсов. Рассмотрены перспективы использования GaAs, легированного переходными металлами, в спинтронике. Для специалистов в области материаловедения полупроводников и полупроводниковой электроники, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.