Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост
Авторы: Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В.
Издательство: ЛАНЬ
ISBN 978-5-507-45481-5; 2023 г.
Кол-во страниц: 216
Предварительный просмотр:
О книге:
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.