Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
Авторы: Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М.
Издательство: Национальный исследовательский Томский государственный университет
ISBN 978-5-9462-1411-7; 2013 г.
Кол-во страниц: 560
Предварительный просмотр:
О книге:
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово- размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных. Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических