Физика конденсированного состояния

Рассмотрены физические процессы и явления, протекающие в проводниках, полупроводниках и диэлектриках. Выявлены основные закономерности изменения свойств в зависимости от состава веществ и внешних возмущающих факторов. Проведен анализ электрических и магнитных свойств материалов в тесной взаимосвязи с их внутренним строением и практическим применением в приборах и устройствах...

В пособии рассматриваются особенности физико-химических свойств, возникающих вследствие образования поверхности. Приводятся данные по термодинамике поверхности и равновесной структуре кристаллов. Подробно рассматриваются изменения атомной структуры на поверхности — релаксация, реконструкция, фасетирование, а также механизмы, отвечающие за структурную перестройку. Большое...

Рассмотрены физические процессы и явления, протекающие в активных диэлектриках и магнитных материалах в pазличных условиях их эксплуатации. Значительное внимание уделено новым перспективным матери ам функцио альной диэлектрической и магнитной электроники. Рассмотрены основные параметры и варианты конструктивного оформления пассивных компонентов электронной аппаратуры...

В книге рассматриваются различные вопросы теории полупроводников: колебания кристаллической решетки, законы движения электронов в идеальном и возмущенном периодических полях, кинематическое уравнение и явления переноса. Изложены элементы теории групп и симметрии кристаллов, а также материалы по оптике полупроводников. Достоинством книги является ясность и доступность...

Монография посвящена развитию методов рентгеноструктурного анализа – основного инструмента исследования атомно-кристаллического строения искаженных кристаллов, составляющих основу современных конструкционных материалов. Основываясь на представлениях теории дифракции рентгеновских лучей неидеальными кристаллами, изучена реальная субмикроскопическая структура характерных...

Монография содержит изложение теории двух- и трехмерных солитонов и локализованных структур в магнитных средах. Прямые методы интегрирования, а именно: специальные подстановки, метод Хироты, преобразования Бэклунда, процедура «одевания», используются для построения и анализа пространственно неодномерных решений типичных моделей ферро- и антиферромагнетиков. С их помощью...

Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров,...

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация...

Рассмотрена структура кристаллов, зонная энергетическая структура полупроводников. Наглядно представлены типы связей в кристаллах, колебания решетки и модели описания теплоемкости полупроводников и металлов. Приведены свойства диэлектриков, динамические свойства и рассмотрены сегнетоэлектрические кристаллы. В общих чертах излагается теория Ферми газа и даются основные...

Учебное пособие предназначено для обучающихся бакалавриата, специалитета и магистратуры любых форм обучения для групп основных технических направлений: «Машиностроение», «Техника и технологии наземного транспорта», «Авиационная и ракетнокосмическая техника», «Техника и технологии кораблестроения и водного транспорта», а также аспирантов.

Рассмотрены физические процессы и явления, протекающие в активных диэлектриках и магнитных материалах в различных условиях их эксплуатации. Значительное внимание уделено новым перспективным материалам функциональной диэлектрической и магнитной электроники. Рассмотрены основные параметры и варианты конструктивного оформления пассивных компонентов электронной аппаратуры...

В пособии изложено тензорное описание электрических, оптических, упругих, тепло-вых и магнитных макроскопических свойств кристаллов. Приведен подробный вывод матриц материальных тензоров в кристаллографических и магнитных классах. Из термодинамического анализа определена взаимосвязь макросвойств и их зависимость от условий измерения. Рассмотрены новые материалы, перспективные...