X
Расширенный поиск
Все разделы
Корзина
у вас нет товаров

Год ( По возрастанию | По убыванию )

Физика твердого тела

Субмикроскопическая структура и свойства дисперсионно-твердеющих сплавов с упругими межфазовыми деформациями Гитгарц М. И., Кукареко В. А., Толстой А. В.

Субмикроскопическая структура и свойства дисперсионно-твердеющих сплавов с упругими межфазовыми деформациями

Гитгарц М. И., Кукареко В. А., Толстой А. В. Год: 2022
Монография посвящена развитию методов рентгеноструктурного анализа – основного инструмента исследования атомно-кристаллического строения искаженных кристаллов, составляющих основу современных конструкционных материалов. Основываясь на представлениях теории дифракции рентгеновских лучей неидеальными кристаллами, изучена реальная субмикроскопическая структура характерных...
Двумерные и трехмерные топологические дефекты, солитоны и текстуры в магнетиках Борисов А. Б., Киселев В. В.

Двумерные и трехмерные топологические дефекты, солитоны и текстуры в магнетиках

Борисов А. Б., Киселев В. В. Год: 2022
Монография содержит изложение теории двух- и трехмерных солитонов и локализованных структур в магнитных средах. Прямые методы интегрирования, а именно: специальные подстановки, метод Хироты, преобразования Бэклунда, процедура «одевания», используются для построения и анализа пространственно неодномерных решений типичных моделей ферро- и антиферромагнетиков. С их помощью...
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В.

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу

Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В. Год: 2023
Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров,...
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В.

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост

Александрова О. А., Лебедев А. О., Мараева Е. В. Год: 2023
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация...
Физика твердого тела. Теория, задачи и лабораторные работы Аплеснин С. С., Харьков А. М.

Физика твердого тела. Теория, задачи и лабораторные работы

Аплеснин С. С., Харьков А. М. Год: 2023
Рассмотрена структура кристаллов, зонная энергетическая структура полупроводников. Наглядно представлены типы связей в кристаллах, колебания решетки и модели описания теплоемкости полупроводников и металлов. Приведены свойства диэлектриков, динамические свойства и рассмотрены сегнетоэлектрические кристаллы. В общих чертах излагается теория Ферми газа и даются основные...
Моменты инерции твердого тела Мелконян А. Л., Титова Ю. Ф.

Моменты инерции твердого тела

Мелконян А. Л., Титова Ю. Ф. Год: 2023. Издание: 3-е изд., стер.
Учебное пособие предназначено для обучающихся бакалавриата, специалитета и магистратуры любых форм обучения для групп основных технических направлений: «Машиностроение», «Техника и технологии наземного транспорта», «Авиационная и ракетнокосмическая техника», «Техника и технологии кораблестроения и водного транспорта», а также аспирантов.
...2345
Вверх