Конденсированные среды и межфазные границы

Разработана модель численного расчёта напряжения и времени задержки пробоя МОП-структур на основе механизма анодной дырочной инжекции, учитывающая неоднородное распределение дырочных ловушек по толщине диэлектрика. Показано, что напряжение пробоя определяется полной концентрацией дырочных ловушек в объёме подзатворного диэлектрика вблизи катода, а время задержки пробоя подчиняется 1/E экспоненциальной зависимости.

Ключевые слова

Методами вольтамперометрии, хроноамперометрии и сканирующей электронной микроскопии исследовано анодное образование и катодное восстановление оксидов Cu(I) и Cu(II) в деаэрированном водном растворе 0.1 M KOH на монокристаллической меди, ориентированной на поверхность гранями (100), (110) и (111). При потенциалах, предшествующих началу процесса оксидообразования, на монокристаллах меди имеет место адсорбция OH-ионов с наибольшей степенью заполнения поверхности на Cu(111). Анодное формирование и катодное восстановление оксида Cu(I) протекает с заметным диффузионным торможением по твердой фазе; стадия перехода заряда при этом не является равновесной. Формирование оксида Cu(II) на начальном этапе протекает через стадию нуклеации, затем осложняется твердофазным массопереносом.

Ключевые слова

Предложен метод идентификации индивидуальных веществ и фазового анализа смесей, основанный на измерении состояний поляризации падающей, отражённой или преломлённой линейно-поляризованной световой волны от поверхности поликристаллического порошка. Результаты представимы в форме соответствующих спектров смесей и чистых веществ - эллипсограмм. Сравнение их между собой даёт возможность определять фазовый состав образцов.

Ключевые слова

Исследованы атомный состав и структура образцов полимерных светоотверждаемых композитов (виниров), изготовленных в производственных и клинических условиях и используемых в зубоврачебной практике, методами рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии и ИК-спектроскопии. Установлено, что исследуемые материалы являются аморфными веществами. Сравнительный анализ поверхностных слоев виниров показал, что их формирование в клинических условиях приводит к появлению пузырьков воздуха и других дефектов поверхности: сколов и царапин, возникающих в результате изготовления и механической шлифовки.

Ключевые слова

На основании температурной зависимости свободной энергии Гиббса выявлены квазибинарные разрезы Ag-PbSe и Ag2Se-PbSe в тройной системе Ag-Pb-Se. Показано, что систему Ag-Pb-Se можно разделить на три стабильные квазитройные подсистемы Ag-Ag2Se-PbSe, Ag2Se-Se-PbSe, Ag-PbSe-Pb. Представлены прямые и обратные матрицы преобразования концентраций компонентов при переходе от одного стандартного состояния к другому. На основании данных граничных двойных систем с использованием малого числа измерений ДТА и с использованием компьютерных программ OriginLab2015 и grafikus.ru/plot3d осуществлено аналитическое решение задачи 3D-визуализации поверхностей кристаллизации Ag2Se и PbSe в системе Ag-Pb-Se.

Ключевые слова

В работе методами инфракрасной и фотолюминесцентной спектроскопии были исследованы особенности состава и оптических свойств образцов пористого кремния с размером пор в диапазоне 50-100 нм с осажденным на его поверхность органическим красителем Родамином-Б. Установлен преимущественно физический тип адсорбции данного красителя на поверхность por-Si и определены оптимальные технологические параметры его осаждения.

Ключевые слова

Измерение концентрационной зависимости электропроводности ионообменных материалов является основой для исследования микроструктуры неоднородных образцов. Представляет интерес оценка влияния природы противоиона на распределение путей проводимости в композитном ионообменном материале. В связи с этим в настоящей работе контактно-разностным методом измерена электропроводность гетерогенных катионо- и анионообменных мембран МК-40, МК-41, Ralex CH(H)-PP, МА-41, Ralex AM(H)-PP в растворах нитрата аммония, нитрата калия и хлорида аммония в широком диапазоне концентраций.

Ключевые слова

По результатам рентгенофазового и дифференциального термического анализа построены Т-х диаграммы политермических разрезов Sn0,39As0,61-Ge0,22As0,78 и SnAs-Ge0,4As0,6 системы Sn-As-Ge. Установлено, что четырехфазные перитектические превращения L+As↔ ↔SnAs + GeAs2 и L + GeAs2 ↔ GeAs + SnAs реализуются при температурах 843 и 838 К соответственно. Представлена топологическая схема фазовых равновесий в тройной системе Sn-As-Ge.

Ключевые слова

Представлены результаты исследования пленок ZnS, полученных методом пиролиза аэрозоля растворов тиомочевинных координационных соединений [Zn(thio)2Cl2], [Zn(thio)2Br2], [Zn(thio)4]F2, [Zn(thio)2(CH3COO)2], [Zn(thio)2(bi-SO4)], [Zn(thio)4]SO4, [Zn(thio)4] (NO3)2 (thio = N2H4CS). Установлено, что температура синтеза и химическая природа координационных прекурсоров оказывают влияние на кристаллическую структуру, оптические и электрофизические свойства осажденных пленок. Оптическая ширина запрещенной зоны ZnS составляет 3.34-3.72 эВ, удельная электропроводность - порядка 10-4-10-10 См.м-1. Повышение температуры осаждения приводит к смещению полосы «самоактивированной» люминесценции ZnS в более длинноволновую область.

Ключевые слова

Цель данной работы - установление влияния магнетронно нанесённой композиции (90 %V205+10 %MnO2) на кинетику термооксидирования InP, состав и морфологию поверхности в сравнении с оксидированием «чистой» поверхности InP и гетероструктуры V2O5/InP. Показано, что модифицирование поверхности InP композитным хемостимулятором V2O5 + MnO2, содержащим малое количество MnO2 (10 мол.%) приводит к заметным изменениям кинетических характеристик процесса по сравнению как с собственным оксидированием InP, так и при использовании в качестве хемостимулятора нанесённых слоёв V2О5. Установлено, что процесс характеризуется достаточно большими значениями относительного увеличения толщины пленки (в среднем 2-5 раз). Значение эффективной энергии активации достаточно велико и сопоставимо с таковым для оксидирования InP (210 и 270 кДж/моль соответственно). Выявлено положительное влияние изучаемого композитного модификатора на такие характеристики плёнок, как состав и морфологию поверхности. Методом РФА показано обогащение выращенной плёнки одним из целевых продуктов - фосфатом индия - в сравнении с оксидированной гетероструктурой V2O5/InP. После термооксидирования гетероструктуры (90 %V2O5 + 10 %MnO2)/InP формируются плёнки c зёренной структурой поверхности (средний размер 50 нм) и высотой рельефа, не превышающей 20 нм, что превосходит аналогичные характеристики для гетероструктуры V2O5/InP.

Ключевые слова

Методами спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) с применением синхротронного излучения исследованы особенности атомного и электронного строения, а также химической связи в нанослоях эпитаксиальных структур кремний-олово. Показана возможность формирования эпитаксиального SiSn слоя в области концентраций, значительно превышающей предел растворимости Sn в Si. Перестройка локальной плотности электронных состояний указывает на формирование твердого раствора, близкого к Si0,92Sn0, 08.

Ключевые слова

Методами структурного анализа и оптической спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с отклонением 4° к [110].

Ключевые слова

В работе исследовано влияния малых добавок NaCl в воде на угол стекания капли с поверхности кремния. Объектами исследования были пластины КДБ(111) и КДБ(100). Установлено, что малые дозы NaCl в воде не влияют на угол стекания капли.

Ключевые слова

Профессору Воронежского государственного университета, Почетному работнику высшей школы РФ Ховиву Александру Михайловичу 19 февраля 2016 г. исполнилось 60 лет. Мы поздравляем его с этой замечательной датой, желаем здоровья, дальнейших творческих успехов, благополучия, удачи во всех сферах его многогранной деятельности! Свои незаурядные способности к точным наукам Александр Михайлович проявил ещё в школьные годы. После обучения на физфаке Воронежского госуниверситета (1973-1978 гг.) выяснилось, что вакантные места для продолжения обучения в аспирантуре физфака отсутствуют. Известный профессор, химик-неорганик Я. А. Угай, бывший в ту пору проректором по научной работе, предложил молодому А. М. Ховиву поступать в аспирантуру химфака ВГУ Сейчас, много лет спустя, наверное, есть смысл задаться таким интригующим вопросом: «А если бы не случилась описанная выше „накладка“ на заре научной карьеры Ховива, могли бы мы теперь гордиться тем, что знакомы с единственным в стране дважды доктором наук по естественным наукам, которым ныне является Александр Михайлович Ховив?» Справедливости ради надо отметить, и тут есть чему позавидовать, - в Воронежском университете приветствуется взаимопроникновение наук: физики защищают диссертации не только по физико-математическим, но и по химическим наукам. Итак, в 1978 г. А. М. Ховив начинает свою деятельность на химфаке ВГУ. В 1983 г. успешно защищает кандидатскую диссертацию, в 1997 г. становится доктором физико-математических наук по специальности «физика полупроводников и диэлектриков». Уже эта докторская работа выполнена на стыке физики и химии твердого тела, посвящена проблемам термического оксидирования кремния и лазерному методу формирования оксидных покрытий на металлах, что отражено, в частности, в публикациях [1, 2]. В 1999 г. А. М. Ховив, работая на кафедре общей и неорганической химии, получил ученое звание профессора. В 2006 г. защищает докторскую диссертацию по химическим наукам «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе металлов и их оксидов, проявляющих нелинейные свойства». В 2006- 2011 гг. А. М. Ховив работает первым проректором ВГУ. В настоящее время - профессор, ведущий большую научно-исследовательскую работу и работу по подготовке кадров высшей квалификации. А. М. Ховив - один из наиболее цитируемых ученых ВГУ. Он является соавтором более четырехсот научных работ. А. М. Ховив организовал на базе ВГУ теперь широко известную Всероссийскую конференцию «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» - ФАГРАН. С 2002 г. он является бессменным председателем организационного комитета этой конференции. В ноябре прошлого года успешно прошла уже VII Всероссийская конференция «ФАГРАН-2015». Александр Михайлович многое сделал для того, чтобы в ВГУ была открыта подготовка кандидатов и докторов наук по химическим наукам по научной специальности 02.00.21 - химия твердого тела. В настоящее время А. М. Ховив - председатель двух диссертационных советов при ВГУ, в одном КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ И МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ, Том 18, № 2, 2016 287 М. М. СЫЧЕВ, А. Г. СЫРКОВ из которых с 2005 г. регулярно защищаются диссертации по специальности 02.00.21. Важнейшее направление научно-организационной деятельности Александра Михайловича связано с работой главным редактором основанного им в 1999 г. рецензируемого научного журнала «Конденсированные среды и межфазные границы». Создание журнала - результат сотрудничества Воронежского и Белгородского государственных университетов при поддержке Института общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН. Журнал включен в перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий ВАК РФ. Под руководством А. М. Ховива журнал динамично развивается, имеет хороший импакт-фактор, печатает актуальные работы в области физики и химии конденсированного состояния. В составе редколлегии журнала работают известные ученые из России, США, Германии, Италии; членами редколлегии являются два академика и один член-корреспондент РАН. А. М. Ховив является крупнейшим специалистом в области физико-химических основ синтеза тонкослойных гетероструктур с заданными оптическими и электрическими свойствами. Его разработки хорошо известны не только у нас в стране, но и среди зарубежных коллег. При его научном консультировании защищены три докторских диссертации. Под руководством А. М. Ховива подготовлено и защищено около двух десятков кандидатских работ. Находясь в служебных командировках в ВГУ, мы не раз убеждались, что студенты, аспиранты, докторанты очень уважают Александра Михайловича. Он по-доброму ко всем им относится, охотно делится своими знаниями. О диапазоне и разнообразии научных интересов А. М. Ховива говорят не только цитируемые ниже публикации [3-11], но и подготовленные им в университете курсы лекций: Общая химия; Физические методы исследований; Лазерная термохимия; Математические методы химических процессов. Конечно, приведенные научные работы, названные темы лекционных курсов требуют высочайшего профессионализма от их автора в области физики, химии, высшей математики и других дисциплин. Кроме того, авторы данной статьи не понаслышке знают и понимают, как нелегко бывает физику «перековаться» в химика и наоборот. На наш взгляд, у Александра Михайловича это все получается достаточно гармонично и естественно, как, по-видимому, и должно быть в идеале у исследователей, чья работа связана с разработкой совре менных функциональных материалов. Острый аналитический ум, способность мгновенно оценивать ситуацию и принимать корректные решения, высокая общая и естественнонаучная культура, воспитанность, замечательные человеческие качества, очевидно, и определили успех А. М. Ховива как оригинального исследователя, организатора науки и преподавателя. О человеческих качествах следует сказать особо. Александра Михайловича отличает не только доброжелательность к людям, но и умение слушать и слышать собеседника. У него, несомненно, есть дар создавать комфортную среду для участников общения при обсуждении сложных проблем, в том числе, - при проведении научных конференций и дискуссий. А. М. Ховив отлично владеет английским языком. Это помогает ему писать содержательные статьи в высокорейтинговые иностранные журналы [5, 6], на равных общаться с зарубежными коллегами и качественно переводить на русский язык актуальные научные монографии, ранее изданные на Западе. Мы видели и читали два увесистых тома книги в области электронного материаловедения (А. М. даже подарил их одному из нас), переведенных и изданных в России под редакцией А. М. Ховива. Александр Михайлович - отнюдь не кабинетный ученый, который превыше всего ставит свои занятия наукой. У него дружная семья, в которой три кандидата наук (жена, сын, невестка), подрастает любимый внук Миша. А. М. Ховив сумел создать условия, чтобы четыре поколения этой семьи могли жить или, по крайней мере, встречаться в гостеприимном загородном доме, в восьмидесяти километрах от Воронежа. С удовольствием ездит отдыхать с семьей в Испанию. В год юбилея, конечно, надо сказать добрые слова о родителях, которые подарили всем нам такого замечательного коллегу и человека. Папа был призван на фронт из института, воевал на Малой земле, закончил войну в звании капитана. Долгое время работал начальником отдела технического контроля на крупнейшем предприятии города - Воронежсельмаш. Может быть, отсюда проистекают административные и организаторские способности юбиляра. Мама Александра Михайловича и бабушка (выпускница Бестужевских курсов) были знаменитыми преподавателями математики, смогли привить любовь к точным наукам и уважение к семейным и духовным ценностям. 288 КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ И МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ, Том 18, № 2, 2016 ПОЗДРАВЛЕНИЯ ПРОФЕССОРУ А. М. ХОВИВУ Соавторы данной статьи очень благодарны профессору А. М. Ховиву за то, что он хранит память о нашем Учителе и наставнике Владимире Георгиевиче Корсакове (1934-2012). Их связывали многочисленные научные проекты и просто теплые, человеческие отношения [12]. И то, что сейчас Александр Михайлович продолжает интересоваться, как обстоят дела у учеников Корсакова, работающих в Санкт-Петербурге, готов помочь им и советом, и делом, мы рассматриваем, прежде всего, как дань уважения к Владимиру Георгиевичу. Нам представляется, что А. М. Ховив - очень хороший и полезный пример для молодых начинающих ученых, которые, возможно, сомневаются в востребованности научных работников в современной России. Безусловно, сейчас не самое легкое время для преподавателей вузов и университетских исследователей. Трудно всем, даже имеющим звание профессора. Для безбедного существования нужны высокие индексы Хирша, публикации на Западе, без которых не получить дополнительного финансирования в рамках федеральных программ, грантовых исследований, в том числе международного уровня. Александр Михайлович всем нам доказал, что увлеченным трудом, интеллектом, талантом, знаниями и упорством все эти проблемы решаемы. Ещё раз желаем дорогому юбиляру доброго здоровья, семейного благополучия, незабываемых радостей творчества и активного долголетия!