Расширенный поиск
Все разделы
Корзина
у вас нет товаров
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М.

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Авторы:
Издательство: Лаборатория знаний (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Издание: 2-е изд. (эл.)
ISBN 978-5-9963-2527-6; 2014 г.
Кол-во страниц: 307

Положить в корзину

О книге:

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Вверх